- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375033 > XCV812E-6FG404C (Xilinx, Inc.) Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | XCV812E-6FG404C |
| 廠商： | Xilinx, Inc. |
| 英文描述： | Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| 中文描述： | 的Virtex娥內(nèi)存擴展1.8伏現(xiàn)場可編程門陣列 |
| 文件頁數(shù)： | 44/116頁 |
| 文件大?。?/td> | 1087K |
| 代理商： | XCV812E-6FG404C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁當(dāng)前第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁
Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays
Module 2 of 4
40
www.xilinx.com
1-800-255-7778
DS025-2 (v2.1) July 17, 2002
R
HSTL
A sample circuit illustrating a valid termination technique for
HSTL_I appears in
Figure 46
. A sample circuit illustrating a
valid termination technique for HSTL_III appears in
Figure 47
.
A sample circuit illustrating a valid termination technique for
HSTL_IV appears in
Figure 48
.
Figure 46:
Terminated HSTL Class I
Table 25:
HSTL Class I Voltage Specification
Parameter
Min
Typ
Max
V
CCO
1.40
1.50
1.60
V
REF
0.68
0.75
0.90
V
TT
-
V
CCO
×
0.5
-
V
IH
V
REF
+ 0.1
-
-
V
IL
-
-
V
REF
– 0.1
V
OH
V
CCO
– 0.4
-
-
V
OL
0.4
I
OH
at V
OH
(mA)
8
-
-
I
OL
at V
OL
(mA)
8
-
-
Figure 47:
Terminated HSTL Class III
V
REF
= 0.75V
V
TT
= 0.75V
50
V
CCO
= 1.5V
Z = 50
HSTL Class I
x133_10_111699
V
REF
= 0.9V
V
TT
= 1.5V
50
V
CCO
= 1.5V
Z = 50
HSTL Class III
x133_11_111699
Table 26:
HSTL Class III Voltage Specification
Parameter
Min
Typ
Max
V
CCO
V
REF (1)
1.40
1.50
1.60
-
0.90
-
V
TT
-
V
CCO
-
V
IH
V
REF
+ 0.1
-
-
V
IL
-
-
V
REF
– 0.1
V
OH
V
CCO
– 0.4
-
-
V
OL
-
-
0.4
I
OH
at V
OH
(mA)
8
-
-
I
OL
at V
OL
(mA)
Note: Per EIA/JESD8-6, “The value of V
REF
is to be selected
by the user to provide optimum noise margin in the use
conditions specified by the user.”
24
-
-
Figure 48:
Terminated HSTL Class IV
Table 27:
HSTL Class IV Voltage Specification
Parameter
Min
Typ
Max
V
CCO
1.40
1.50
1.60
V
REF
-
0.90
-
V
TT
-
V
CCO
-
V
IH
V
REF
+ 0.1
-
-
V
IL
-
-
V
REF
– 0.1
V
OH
V
CCO
– 0.4
-
-
V
OL
-
-
0.4
I
OH
at V
OH
(mA)
8
-
-
I
OL
at V
OL
(mA)
48
-
-
Note: Per EIA/JESD8-6, “The value of V
REF
is to be selected
by the user to provide optimum noise margin in the use
conditions specified by the user.
50
Z = 50
HSTL Class IV
x133_12_111699
50
V
REF
= 0.9V
V
TT
= 1.5V
V
TT
= 1.5V
V
CCO
= 1.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XCV812E-6FG404I | Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| XCV812E-6FG556C | Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| XCV812E-6FG556I | Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| XCV812E-6FG560C | Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| XCV812E-6FG560I | Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XCV812E-6FG404I | 制造商:XILINX 制造商全稱:XILINX 功能描述:Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| XCV812E-6FG556C | 制造商:XILINX 制造商全稱:XILINX 功能描述:Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| XCV812E-6FG556I | 制造商:XILINX 制造商全稱:XILINX 功能描述:Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| XCV812E-6FG560C | 制造商:XILINX 制造商全稱:XILINX 功能描述:Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| XCV812E-6FG560I | 制造商:XILINX 制造商全稱:XILINX 功能描述:Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。