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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F004BET120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, PDSO40 |
| 封裝： | 20 X 10 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 32/58頁 |
| 文件大小： | 920K |
| 代理商： | TE28F004BET120 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
26
3UHOLPLQDU\
AC Characteristics, Continued
NOTES:
1. OE# may be delayed up to t
t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact on t
ELQV
.
2. Sampled, but not 100% tested.
See
Figure 7
for the AC waveform for read operations.
See
Figure 5, “Input/Output Reference Waveform” on page 22
for timing measurements and maximum
allowable input slew rate.
#
Sym
Parameter
Density
64 Mbit
Unit
Product
90 ns
100 ns
V
CC
2.7 V
–3.6 V
2.7 V–3.6 V
Note
Min
Max
Min
Max
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
PHQV
t
ELQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
Read Cycle Time
Address to Output Delay
CE# to Output Delay
OE# to Output Delay
RP# to Output Delay
CE# to Output in Low Z
OE# to Output in Low Z
CE# to Output in High Z
OE# to Output in High Z
Output Hold from Address, CE#, or
OE# Change, Whichever Occurs First
90
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
90
90
20
150
100
100
20
150
1
1
2
2
2
2
0
0
0
0
20
20
20
20
R10
t
OH
2
0
0
ns
Figure 7. AC Waveform: Read Operations
High Z
Valid Output
Address Stable
Data Valid
Device
Address Selection
Standby
ADDRESSES (A)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CE# (E)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
RP# (P)
High Z
V
IH
V
IL
R1
R2
R4
R3
R5
R6
R7
R8
R9
R10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F004BVT80 | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F320 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3BC100 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3BC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F004BVB80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BVT80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BX-B80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BX-B90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| TE28F004BX-T80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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