VNS3NV04DPTR-E

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功能描述
MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

VNS3NV04DPTR-E 技術(shù)參數(shù)

VNS3NV04DP-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VNS3NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS3NV04D13TR 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS3NV04D 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS30-2051 功能描述:N Type Connector Jack, Female Socket 50 Ohm Free Hanging (In-Line) Solder 制造商:cinch connectivity solutions vitelec 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效連接器樣式:N 型連接器類型:插孔，母形插口觸頭端接:焊接保護(hù)端接:夾子阻抗:50 歐姆安裝類型:自由懸掛電纜組:RG-58 緊固類型:有螺紋頻率 - 最大值:11GHz 特性:- 外殼顏色:銀侵入防護(hù):- 基體材料:黃銅基體表面:鎳中心觸頭材料:黃銅中心觸頭鍍層:金介電材料:聚四氟乙烯（PTFE）額定電壓:1500V 工作溫度:-65°C ~ 165°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 VNS50-2051 VNS7NV04-E VNS7NV04PTR-E VNS7NV04TR-E VNT50 VNT50F VNV10N07 VNV10N0713TR VNV10N07-E VNV10N07TR-E VNV14N04 VNV14N04-E VNV20N07 VNV20N0713TR VNV20N07-E VNV20N07TR-E VNV28N04 VNV28N04-E