VS8-D8-D8-20-451-CE

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操作

VS8-D8-D8-20-451-CE
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Artesyn Embedded Technolo
原廠封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

VS8-D8-D8-20-451-CE
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Artesyn Embedded Technolo
原廠封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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制造商
Emerson Embedded Power
功能描述
VS CONFIGURABLE POWER SUPPLY

VS8-D8-D8-20-451-CE 技術(shù)參數(shù)

VS-86HFR40 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 267A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:9mA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 180°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 VS-86HFR20 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 267A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:9mA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 180°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 VS-86HFR160 功能描述:DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1600V（1.6kV）電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 267A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 1600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 VS-86HFR120 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 267A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:9mA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 180°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 VS-86HFR10 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 267A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:9mA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 180°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 VS-8ETH03STRLPBF VS-8ETH03STRRPBF VS-8ETH06-1HM3 VS-8ETH06FP-N3 VS-8ETH06FPPBF VS-8ETH06HN3 VS-8ETH06-N3 VS-8ETH06PBF VS-8ETH06SHM3 VS-8ETH06SPBF VS-8ETH06STRLHM3 VS-8ETH06STRLPBF VS-8ETH06STRRHM3 VS-8ETH06STRRPBF VS-8ETL06-1PBF VS-8ETL06FP-N3 VS-8ETL06FPPBF VS-8ETL06-N3