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VLS252010HBX-R68M

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  • VLS252010HBX-R68M-1
    VLS252010HBX-R68M-1

    VLS252010HBX-R68M-1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • VLS252010HBX-R68M
    VLS252010HBX-R68M

    VLS252010HBX-R68M

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
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VLS252010HBX-R68M 技術參數(shù)
  • VLS252010HBX-R47M-1 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.32A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:3.32A 電流 - 飽和值:4.53A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):35 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLS252010HBX-R33M-1 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 3.74A 31 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:330nH 容差:±20% 額定電流:3.74A 電流 - 飽和值:5.03A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):31 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLS252010HBX-R24M-1 功能描述:240nH Shielded Wirewound Inductor 3.91A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:240nH 容差:±20% 額定電流:3.91A 電流 - 飽和值:6.55A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):29 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLS252010HBX-6R8M-1 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 406 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):406 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLS252010HBX-4R7M-1 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 250 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.4A 電流 - 飽和值:1.09A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):250 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLS252010T-R68N VLS252012CX-100M VLS252012CX-150M VLS252012CX-1R0M VLS252012CX-1R5M VLS252012CX-220M VLS252012CX-2R2M VLS252012CX-3R3M VLS252012CX-4R7M VLS252012CX-6R8M VLS252012ET-100M VLS252012ET-100M-CA VLS252012ET-1R0N VLS252012ET-1R0N-CA VLS252012ET-1R5N VLS252012ET-1R5N-CA VLS252012ET-2R2M VLS252012ET-2R2M-CA
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