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VLS2012ET-3R3N

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  • VLS2012ET-3R3N
    VLS2012ET-3R3N

    VLS2012ET-3R3N

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 120

  • TDK

  • SMD

  • 14+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • VLS2012ET-3R3N
    VLS2012ET-3R3N

    VLS2012ET-3R3N

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 600

  • TDK

  • SMD

  • 14+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • VLS2012ET-3R3N
    VLS2012ET-3R3N

    VLS2012ET-3R3N

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 4000

  • TDK

  • SMD

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品。

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
VLS2012ET-3R3N PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
VLS2012ET-3R3N 技術參數
  • VLS2012ET-3R3M-CA 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1A 228 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:840mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:228 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬（2.00mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標準包裝:1 VLS2012ET-3R3M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 840mA 228 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:840mA 電流 - 飽和值:840mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:228 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬（2.00mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標準包裝:1 VLS2012ET-2R2M-CA 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 153 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.25A 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:153 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬（2.00mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標準包裝:1 VLS2012ET-2R2M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1A 153 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:153 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬（2.00mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標準包裝:1 VLS2012ET-220M-CA 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 350mA 1.764 Ohm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:330mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.764 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬（2.00mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標準包裝:1 VLS201610CX-150M VLS201610CX-1R0M VLS201610CX-1R5M VLS201610CX-220M VLS201610CX-2R2M VLS201610CX-3R3M VLS201610CX-4R7M VLS201610CX-6R8M VLS201610CX-R24M VLS201610CX-R47M VLS201610CX-R68M VLS201610ET-100M VLS201610ET-100M-CA VLS201610ET-1R0N VLS201610ET-1R0N-CA VLS201610ET-1R5N VLS201610ET-1R5N-CA VLS201610ET-2R2M
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