參數(shù)資料
型號(hào)： TMS28F010A-17C3FML4
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY
中文描述： 1048576位閃存電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 15/22頁(yè)
文件大小： 328K
代理商： TMS28F010A-17C3FML4
TMS28F010A
1048576-BIT FLASH
ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY
SMJS012 – DECEMBER 1992 – REVISED NOVEMBER 1993
15
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
switching characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature
PARAMETER
TEST
ALTERNATE
SYMBOL
’28F010A-10
MIN
’28F010A-12
MIN
’28F010A-15
MIN
’28F010A-17
MIN
UNIT
CONDITIONS
MAX
MAX
MAX
MAX
ta(A)
Access time from
address, A0–A16
tAVQV
100
120
150
170
ns
ta(E)
Access time from
chip enable, E
tELQV
100
120
150
170
ns
ten(G)
Access time from
output enable, G
tGLQV
45
50
55
60
ns
tc(R)
Cycle time, read
tAVAV
100
120
150
170
ns
td(E)
Delay time, E low
to low-Z output
CL = 100 pF,
1 Series 74
TTL load,
≤
Input tr
20 ns,
Input tf
≤
20 ns
tELQX
0
0
0
0
ns
td(G)
Delay time, G low
to low-Z output
tGLQX
0
0
0
0
ns
tdis(E)
Chip disable time
to hi-Z output
tEHQZ
0
55
0
55
0
55
0
55
ns
tdis(G)
Output disable
time to hi-Z
output
tGHQZ
0
30
0
30
0
35
0
35
ns
th(D)
Hold time, data
valid from
address, E, or G
tAXQX
0
0
0
0
ns
trec(W)
Write recovery
time before read
tWHGL
6
6
6
6
μ
s
Whichever occurs first.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TMS29F800B-100BDBJQ 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES
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參數(shù)描述
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