參數資料
型號: MBD101ZL1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 射頻混頻器
英文描述: SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE
封裝: PLASTIC, CASE 182-02, TO-226AC, 2 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 61K
代理商: MBD101ZL1
相關PDF資料
PDF描述
MBD330DWT3 SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE
MBD110DWT2 SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE
MBR0520L 0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR0540 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR10100CTF-G1 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
MBD110DWT1 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 120mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD110DWT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD110DWT1G_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1G_12 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes