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參數(shù)資料
| 型號： | TM4EP72CPN-70 |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| 中文描述： | 擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 14/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 354K |
| 代理商： | TM4EP72CPN-70 |
TM4EP64BJN, TM4EP64BPN, TM4EP64CJN, TM4EP64CPN 4194304 BY 64-BIT
TM4EP72BJN, TM4EP72BPN, TM4EP72CJN, TM4EP72CPN 4194304 BY 72-BIT
EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAMMODULES
SMMS682A – AUGUST 1997– REVISED MARCH 1998
14
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
ac timing requirements (see Note 3) (continued)
’4EP64xxN-50
’4EP72xxN-50
’4EP64xxN-60
’4EP72xxN-60
’4EP64xxN-70
’4EP72xxN-70
UNIT
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tRCD
tRPC
tRSH
tRWD
tTAA
tTCPA
tTRAC
tREF
tT
NOTES:
Delay time, RASx to CASx (see Note 9)
12
37
14
45
14
52
ns
Delay time, RASx precharge to CASx
0
0
0
ns
Delay time, CASx active to RASx precharge
8
10
12
ns
Delay time, RASx to write command (read-write only)
67
79
92
ns
Access time from address (test mode)
30
35
40
ns
Access time from column precharge (test mode)
35
40
45
ns
Access time from RASx (test mode)
55
65
75
ns
Refresh time interval
32
32
32
ms
Transition time
2
30
2
30
2
30
ns
3. With ac parameters, it is assumed that tT = 2 ns.
9. The maximum value is specified only to ensure access time.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TM4EP64BPN-50 | EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| TM4EP64CPN-50 | EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| TM4EP64BJN-50 | EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| TM4EP64BJN-60 | EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| TM4EP64BJN-70 | EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TM4EP72DJN | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| TM4F232H5QDFIGB0 | 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC MCU 32BIT 256KB FLASH 144LQFP |
| TM4-GT | 制造商:SYNERGY 制造商全稱:SYNERGY MICROWAVE CORPORATION 功能描述:RF IMPEDANCE TRANSFORMER SURFACE MOUNT MODEL WIDE BANDWIDTH 5 - 1000 MHz |
| TM4K5-2-B200 | 制造商:NOBLE 功能描述: |
| TM4K5-2-B500 | 制造商:NOBLE 功能描述: |
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