參數(shù)資料
型號： TIP32B
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補(bǔ)型，塑料功率晶體管)
中文描述： 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： TIP32B
TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP)
http://onsemi.com
5
V
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
10
3
0.4
10
1
10
0
10
2
10
2
10
1
10
3
10
7
10
5
10
4
10
2
10
6
10
3
I
B
, BASE CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. Collector Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
500
0.05 0.07
0.3
3.0
0.03
100
70
50
30
10
7.0
5.0
0.1
V
BE
, BASEEMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. “On” Voltages
V
CE
= 2.0 V
0.7 1.0
0.5
1.6
2.0
2.0
5.0
20
1000
1.0
0.8
0.4
10
0
100
200
500
50
25
°
C
T
J
= 150
°
C
55
°
C
1.2
1.4
0.003
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
0.8
0.4
1.2
0.6
0.2
0
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
0.1
+2.5
I
C
= 0.3 A
20
60
80
100
120
160
140
40
V
T
J
= 25
°
C
1.0 A
3.0 A
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
θ
°
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0030.005 0.01
0.02
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
/2
T
J
= 65
°
C TO +150
°
C
*
VC
FOR V
CE(sat)
VB
FOR V
BE
Figure 11. Temperature Coefficients
,
I
0.3
0.2
0.1
0
+0.1
+0.2
+0.3
+0.4
+0.5
+0.6
Figure 12. Collector CutOff Region
Figure 13. Effects of BaseEmitter Resistance
V
CE
= 30 V
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
REVERSE
FORWARD
I
CES
R
V
CE
= 30 V
I
C
= 10 x I
CES
I
C
≈
I
CES
I
C
= 2 x I
CES
(TYPICAL I
CES
VALUES
OBTAINED FROM FIGURE 12)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIP31C Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補(bǔ)型硅塑料功率晶體管)
TIP31B Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補(bǔ)型，塑料功率晶體管)
TIP32C Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補(bǔ)型，塑料功率晶體管)
TIP33 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIP33A NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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TIP32-BP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3.0A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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