參數(shù)資料
型號: TIP29A
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補型硅塑料功率晶體管)
中文描述: 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 67K
代理商: TIP29A
TIP29, A, B, C (NPN), TIP30, A, B, C (PNP)
http://onsemi.com
3
T
=
h
fe
f
test
OFF CHARACTERISTICS
TIP29, TIP30
TIP29B, TIP30B
TIP29C, TIP30C
40
80
100
Collector Cutoff Current
(V
= 60 Vdc, I
= 0)
TIP29B, TIP29C, TIP30B, TIP30C
I
CEO
0.3
mAdc
Collector Cutoff Current
CE
EB
(V
CE
= 80 Vdc, V
EB
= 0)
CE
EB
TIP29B, TIP30B
I
200
200
Emitter Cutoff Current (V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
1.0
mAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
C
CE
FE
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f
test
= 1.0 MHz)
SmallSignal Current Gain (I
C
= 0.2 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
h
fe
20
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PDF描述
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參數(shù)描述
TIP29A 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220
TIP29A-B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP29A-BP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP29AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP29A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 1A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2