參數(shù)資料
型號(hào)： TC55NEM216AFTN70
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： TC55NEM216AFTN70
TC55NEM216AFTN55,70
2002-07-04 3/11
OPERATING MODE
MODE
CE
OE
R/W
LB
UB
I/O1~I/O8
I/O9~I/O16
POWER
L
L
H
L
L
Output
Output
I
DDO
L
L
H
H
L
High-Z
Output
I
DDO
Read
L
L
H
L
H
Output
High-Z
I
DDO
L
*
L
L
L
Input
Input
I
DDO
L
*
L
H
L
High-Z
Input
I
DDO
Write
L
*
L
L
H
Input
High-Z
I
DDO
L
H
H
L
L
High-Z
High-Z
I
DDO
L
H
H
H
L
High-Z
High-Z
I
DDO
Output Deselect
L
H
H
L
H
High-Z
High-Z
I
DDO
H
*
*
*
*
High-Z
High-Z
I
DDS
Standby
*
*
*
H
H
High-Z
High-Z
I
DDS
*
= don't care
H = logic high
L = logic low
MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
RATING
VALUE
UNIT
V
DD
Power Supply Voltage
0.3~7.0
V
V
IN
Input Voltage
0.3
*
~7.0
V
V
I/O
Input/Output Voltage
0.5~V
DD
+
0.5
V
P
D
Power Dissipation
0.6
W
T
solder
Soldering Temperature (10s)
260
°C
T
stg
Storage Temperature
55~150
°C
T
opr
Operating Temperature
40~85
°C
*
:
2.0 V when measured at a pulse width of 20ns
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (
Ta
=
40° to 85°C
)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
V
DD
Power Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
V
DD
+
0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
0.3
*
0.6
V
V
DH
Data Retention Supply Voltage
2.0
5.5
V
*
:
2.0 V when measured at a pulse width of 20ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TC55NEM216AFTN55 TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55V1001AFTI 131，072-Word By 8-Bit Static RAM(131，072字 × 8位靜態(tài)RAM)
TC55V1001ASRI 131，072-Word By 8-Bit Static RAM(131，072字 × 8位靜態(tài)RAM)
TC55V1001ASTI 131，072-Word By 8-Bit Static RAM(131，072字 × 8位靜態(tài)RAM)
TC55V1001ATRI 131，072-Word By 8-Bit Static RAM(131，072字 × 8位靜態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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TC55NEM216ASTV55 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM216ASTV70 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM216ATGN55LA 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 54TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TC55RP1101ECB713 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
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