| 型號: | TC1411NCPA |
| 廠商: | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù): | 32/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述: | IC MOSFET DVR 1A HS 8DIP |
| 標準包裝: | 60 |
| 配置: | 低端 |
| 輸入類型: | 非反相 |
| 延遲時間: | 30ns |
| 電流 - 峰: | 1A |
| 配置數(shù): | 1 |
| 輸出數(shù): | 1 |
| 電源電壓: | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作溫度: | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
| 供應商設備封裝: | 8-PDIP |
| 包裝: | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁面: | 670 (CN2011-ZH PDF) |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC428CPA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP |
| TC4426CPA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP |
| T95Y106M020CZSL | CAP TANT 10UF 20V 20% 2910 |
| T95Y106K025CZSL | CAP TANT 10UF 25V 10% 2910 |
| EMM08DRTN | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC1411NEOA | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| TC1411NEOA713 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| TC1411NEPA | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| TC1411NEUA | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| TC1411NEUA713 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |