參數(shù)資料
型號: T435
廠商: 意法半導體
英文描述: High Performance Triacs(高性能雙向可控硅)
中文描述: 高性能雙向(高性能雙向可控硅)
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大?。?/td> 96K
代理商: T435
GATE CHARACTERISTICS
(maximum values)
PG(AV)= 1 W
PGM= 10 W (tp = 20
μ
s)
IGM= 4 A (tp = 20
μ
s)
VGM= 16 V (tp = 20
μ
s).
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Suffix
Unit
T410
T435
IGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
10
35
mA
VGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
1.5
V
VGD
VD=VDRM RL=3.3k
Tj=125
°
C
I-II-III
MIN
0.2
V
tgt
VD=VDRM
dIG/dt = 3A/
μ
s
IG= 500mA
ITM= 5.5A
Tj=25
°
C
I-II-III
TYP
2
μ
s
IL
IG=1.2 IGT
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
30
60
mA
IH *
IT= 100mA gate open
Tj=25
°
C
MAX
15
35
mA
VTM *
ITM= 5.5A
tp= 380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
1.75
V
IDRM
IRRM
VDRM
VRRM
Rated
Rated
Tj=25
°
C
MAX
0.01
mA
Tj=125
°
C
MAX
2
dV/dt *
Linear
VD=67%VDRM
gate open
slope
up to
VDRM=
400V / 600V
Tj=125
°
C
MIN
50
250
V/
μ
s
VDRM=
700V / 800V
30
250
(dI/dt)c *
dV/dt = 0.1V/
μ
s
Tj=125
°
C
MIN
2.7
4.4
A/ms
dV/dt = 20V/
μ
s
MIN
1.8
2.7
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-a)
Junction to ambient
SOT82 / SOT194
100
°
C/W
TO220AB
60
ISOWATT220AB
50
Rth (j-c) DC Junction to case for DC
SOT82 / SOT194
TO220AB
3.5
°
C/W
ISOWATT220AB
5.3
Rth (j-c) AC Junction to case for 360
°
conduction angle
( F= 50 Hz)
SOT82 / SOT194
TO220AB
2.6
°
C/W
ISOWATT220AB
4
THERMAL RESISTANCES
* For either polarity of electrode A2 voltage with reference to electrode A1.
T410 / T435
2/7
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