TE500B22RJ

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TE500B22RJ
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

TE500B22RJ
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
TE Connectivity /CGS Bran
標(biāo)準(zhǔn)封裝
15+
-
百分百原裝質(zhì)量保障

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功能描述
線繞電阻器 - 底架安裝 TE 500W 22R 5% Bracket
RoHS
否
制造商
Vishay/Dale
電阻
7 Ohms
容差
1 %
功率額定值
100 W
溫度系數(shù)
50 PPM / C
系列
RH
工作溫度范圍
- 55 C to + 250 C
尺寸
46.02 mm Dia. x 46.02 mm W x 88.9 mm L x 44.45 mm H
封裝
Bulk
產(chǎn)品
Power Resistors Wirewound Aluminum Housed

TE500B22RJ 技術(shù)參數(shù)

TE500B220RJ 功能描述:RES CHAS MNT 220 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:220 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE500B10RJ 功能描述:RES CHAS MNT 10 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:10 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE500B100RJ 功能描述:RES CHAS MNT 100 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:100 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE48F4400P0VB00A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE48F4400P0TB00A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE500B3R3J TE500B3R9J TE500B470RJ TE500B47RJ TE500B4R7J TE500B560RJ TE500B56RJ TE500B5R6J TE500B680RJ TE500B68RJ TE500B6R8J TE500B820RJ TE500B82RJ TE500B8R2J TE50B100RJ TE50B10RJ TE50B120RJ TE50B12RJ