參數(shù)資料
型號： SUB70N03-09BP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 203K
代理商： SUB70N03-09BP
SPICE Device Model SUP/SUB70N03-09BP
Vishay Siliconix
Document Number: 71701
02-Oct-01
www.vishay.com
3
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB70N04-10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB
SUP70N04-10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-220AB
SUD40N06-24 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
SUU40N06-24 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 37A I(D) | TO-251
SUU40N06-25L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUB70N03-09BP-E3 功能描述:MOSFET 30V 70A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N03-09P 功能描述:MOSFET 30V 70A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N03-09P-E3 功能描述:MOSFET 30V 70A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N04-10 功能描述:MOSFET 40V 70A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N04-10-E3 功能描述:MOSFET 40V 70A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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