參數(shù)資料
型號(hào)： SUB50N03-20C
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： SUB50N03-20C
SUB50N03-20C
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71175
S-02575
—
Rev. C, 27-Nov-00
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
–
Junction Temperature ( C)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
–
r
D
)
0
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
200
10
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
T
C
–
Case Temperature ( C)
–
I
D
0.001 s
0.01 s
0.1 s
dc
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–
5
10
–
4
10
–
3
10
–
2
10
–
1
1
N
T
3
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
–
I
D
0.0001 s
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUB60N06-18-E3 功能描述:MOSFET 60V 60A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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