參數(shù)資料
型號(hào)： STW20NM60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.25ohm - 20A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK的MDmesh？功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： STW20NM60
STW20NK70Z
2/6
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
( )
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
V
ESD(G-S)
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5K
)
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
j
T
stg
Storage Temperature
( )
Pulse width limited by safe operating area
(1) I
SD
≤
17A, di/dt
≤
TBDA/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
(*) Limited only by maximum temperature allowed
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
GATE-SOURCE ZENER DIODE
Symbol
BV
GSO
Gate-Source Breakdown
Voltage
PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s
ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be
applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and
cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the
usage of external components.
Parameter
Value
Unit
700
V
700
V
± 30
V
20
A
12
A
80
A
300
W
2.4
W/°C
TBD
V
TBD
V/ns
Operating Junction Temperature
-55 to 150
°C
Thermal Resistance Junction-case Max
0.42
°C/W
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
50
300
°C/W
°C
Parameter
Max Value
TBD
Unit
A
TBD
mJ
Parameter
Test Conditions
Igs=± 1mA (Open Drain)
Min.
30
Typ.
Max.
Unit
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW20NC50 N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 18.4A TO-247 PowerMesh⑩II MOSFET
STW20NM50 N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET
STW220NF75 N-CHANNEL 75V - 0.004 OHM - 120A TO-247 STRIPFET II POWER MOSFET
STW240NF55 N-CHANNEL 55V - 0.0027 OHM - 120A TO-247 STRIPFET II POWER MOSFET
STW44NM60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-247AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW20NM60FD 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW20NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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STW21N90K5 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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