參數(shù)資料
型號： STTH5R06G
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： STTH5R06G
STTH5R06D/FP/B/G
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1.75
2.00
2.25
2.50
25
50
75
100
125
Tj(
°C)
IRM
Qrr
S factor
Reference: Tj=125
°C
IF=IF(av)
VR=400V
Tj=125
°C
Fig.
8:
Relative
variation
of
dynamic
parameters versus junction temperature.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
100
200
300
400
500
dIF/dt(A/
s)
IF=IF(av)
Tj=125
°C
VFP(V)
Fig. 9: Transient peak forward voltage versus
dIF/dt (90% confidence).
0
20
40
60
80
100
120
0
100
200
300
400
500
dIF/dt(A/
s)
IF=IF(av)
VFR=1.1 x VF max.
Tj=125
°C
tfr(ns)
Fig. 10:
Forward recovery time versus dIF/dt
(90% confidence).
10
100
1
10
100
1000
VR(V)
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25
°C
C(pF)
Fig. 11:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2468
10
12
14
16
18
20
Rth(j-a)(
°C/W)
S(cm )
Fig. 12: Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (epoxy printed
circuit board FR4, Cu=35
m) (DPAK and D PAK).
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PDF描述
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SUM8.2FSMS 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SUM8.2FSMSTXV 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
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