參數資料
型號： STPS2H100RL
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 高壓功率肖特基整流器
文件頁數： 3/7頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： STPS2H100RL
STPS20150CT/CG/CR/CFP
3/7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
(A)
F(AV)
P
(W)
F(AV)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
Fig. 1:
Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
amb
I
(A)
F(AV)
T
δ
=tp/T
tp
R
=R
(TO-220AB, I PAK and D PAK)
th(j-a)
th(j-c)
R
=R
(TO-220FPAB)
th(j-a)
th(j-c)
R
=15°C/W
th(j-a)
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
= 0.5, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating ver-
sus pulse duration.
0
1.E-03
25
50
75
100
125
150
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
I (A)
I
M
t
δ
=0.5
TO-220AB, I PAK and D PAK
T =50°C
T =75°C
T =125°C
Fig. 5-1:
Non repetitive surge peak forward cur-
rent versus overload duration (maximum values,
per diode). TO-220AB, I2PAK and D2PAK
0
1.E-03
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
I (A)
I
M
t
δ
=0.5
TO-220FPAB
T =50°C
T =75°C
T =125°C
Fig. 5-2:
Non repetitive surge peak forward cur-
rent versus overload duration (maximum values,
per diode). TO-220FPAB
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PDF描述
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