型號: | STF20NM60A |
英文描述: | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):4A; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:4A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes |
中文描述: | N溝道600V的- 0.25OHM - 20A條I2PAK/TO-220/TO-220FP MDMesh功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 6/7頁 |
文件大小: | 134K |
代理商: | STF20NM60A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STP20NM60A | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
STF20NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET |
STF20N20 | N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET |
STFE16-5MNAT | ISOLIERSCHLAUCH PTFE 1.35MM NATUR 5M |
STFE18-5MNAT | ISOLIERSCHLAUCH PTFE 1.07MM NATUR 5M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STF20NM60D | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP |
STF20NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STF21N65M5 | 功能描述:MOSFET N-channel 650 V 0.175 17A Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STF21N65M5(045Y) | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V, 0.150 |
STF21N90K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |