參數(shù)資料
型號： STD8N10L1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 8A條（?。﹟至251
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 171K
代理商： STD8N10L1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 48 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 48 V
I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V
14
75
20
100
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
240
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
13
7
4
20
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 48 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
16
22
45
25
30
60
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
8
32
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 8 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 8 A
V
DD
= 25 V
(see test circuit, figure 5)
70
0.18
5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area
Thermal Impedance
STD8N06
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD8 SOCKET DIN FOR TA TIMER
STF8 SOCKET REAR MT FOR TA TIMER
STD909T4 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252
STD910T4 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252
STD90 Leaded Cartridge Fuse; Current Rating:62mA; Voltage Rating:250V; Fuse Terminals:Axial Lead; Fuse Type:Very Fast Acting; Voltage Rating:250V; Body Material:Epoxy; Diameter:3.683mm; Leaded Process Compatible:Yes; Length:7.62mm RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
STD8N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD8N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD8N80K5 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD8NF25 功能描述:MOSFET N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD8NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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