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相關(guān)PDF資料	PDF描述
STD8N10L1	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-251
STD8	SOCKET DIN FOR TA TIMER
STF8	SOCKET REAR MT FOR TA TIMER
STD909T4	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-252
STD910T4	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-252

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STD8N10L1

STD8

SOCKET DIN FOR TA TIMER

STF8

SOCKET REAR MT FOR TA TIMER

STD909T4

TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252

STD910T4

TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
STD8N10L	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD8N10L1	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-251
STD8N60DM2	功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD8N65M5	功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD8N80K5	功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A SuperMESH 5 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

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STD8N10L

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

STD8N10L1

STD8N60DM2

功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1

STD8N65M5

功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STD8N80K5

功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A SuperMESH 5 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-251
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 100V的五（巴西）直\| 8A條（?。﹟至251
文件頁(yè)數(shù)：	5/10頁(yè)
文件大小：	171K
代理商：	STD8N10-1

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