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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STD8N10-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 8A條（?。﹟至251 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | STD8N10-1 |
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STD8N06
10/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD8N10L1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| STD8 | SOCKET DIN FOR TA TIMER |
| STF8 | SOCKET REAR MT FOR TA TIMER |
| STD909T4 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |
| STD910T4 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD8N10L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
| STD8N10L1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| STD8N60DM2 | 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STD8N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD8N80K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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