參數資料
型號： STD83003T4
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁數： 2/8頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： STD83003T4
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
6.25
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEV
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5V)
V
CE
= 700V
V
CE
= 700V
T
j
= 125
o
C
1
5
mA
mA
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= 10 mA
12
18
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA
L = 25 mH
400
V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.35 A
I
B
= 0.1 A
I
B
= 50 mA
0.5
1
V
V
I
C
= 0.5 A
I
B
= 0.1 A
1
V
I
C
= 10 mA
I
C
= 0.35 A
I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
10
16
4
25
32
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= 0.35 A
I
B1
= 70 mA
T
p
≥
25
μ
s
I
C
= 0.5 A
V
BE(off)
= -5 V
V
clamp
= 300 V
V
CC
= 125 V
I
B2
= -70 mA
(see figure 2)
I
B1
= 0.1 A
L = 10 mH
(see figure 1)
1.5
100
2.2
0.2
2.9
ns
μ
s
μ
s
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
450
90
ns
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, dutycycle = 1.5 %
STD83003
2/8
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PDF描述
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