參數(shù)資料
型號(hào)： STD7NK40ZT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 5.4AI（四）|對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 163K
代理商： STD7NK40ZT4
STD7NB20 / STD7NB20-1
DPAK FOOTPRINT
9/10
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*
TUBE SHIPMENT (no suffix)*
* on sales type
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
G
N
T
1.5
12.8
20.2
16.4
50
0.059
0.504
0.795
0.645
1.968
13.2
0.520
18.4
0.724
22.4
0.881
BASE QTY
2500
BULK QTY
2500
REEL MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
6.8
10.4
MAX.
7
10.6
12.1
1.6
MIN.
0.267
0.409
MAX.
0.275
0.417
0.476
0.063
A0
B0
B1
D
D1
E
F
K0
P0
P1
P2
R
W
1.5
1.5
1.65
7.4
2.55
3.9
7.9
1.9
40
15.7
0.059
0.059
0.065
0.291
0.100
0.153
0.311
0.075
1.574
0.618
1.85
7.6
2.75
4.1
8.1
2.1
0.073
0.299
0.108
0.161
0.319
0.082
16.3
0.641
TAPE MECHANICAL DATA
All dimensions
are in millimeters
All dimensions are in millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD7NS20T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA
STD80 STD80 0.5 Micron STD80 Standard Cell Library|Data Sheet
STD83003-1 BJT
STD83003T4 BJT
STD8N06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251
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參數(shù)描述
STD7NM50N 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD7NM50N-1 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD7NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD7NM64N 功能描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:640V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD7NM80 功能描述:MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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