參數(shù)資料
型號: STD5NE10T4
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直| 5A條(?。﹟對252AA
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 87K
代理商: STD5NE10T4
STD5N20
6/8
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD5NK50ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252AA
STD7NB20T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA
STD7NK40ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA
STD7NS20T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA
STD80 STD80 0.5 Micron STD80 Standard Cell Library|Data Sheet
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD5NK40Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 400V 3A DPAK
STD5NK40Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5NK40Z-1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N I-PAK
STD5NK40ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5NK50Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET