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參數(shù)資料
| 型號： | STD19NE06L1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 19A條（?。﹟對251AA |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | STD19NE06L1 |
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STD19NE06
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD19NE06L-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA |
| STD19NE06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
| STD19NE06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
| STD19NE06 | N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET |
| STD1NA60-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD19NE06L-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA |
| STD19NE06LT4 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD19NE06T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
| STD1HN60K3 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-ch,600V,6.4Ohm,1.2 A,DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET |
| STD1HNC60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh⑩II MOSFET |
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