參數(shù)資料
型號： STB80NE03L-06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 30V-0.005Ω-80A- D2PAK STripFETTM Power MOSFET(N功率MOSFET)
中文描述： N溝道30V的，0.005Ω- 80A條，采用D2PAK STripFETTM功率MOSFET（不適用功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： STB80NE03L-06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
SWITCHING ON
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
td(on)
tr
Turn-on Time
Rise Time
VDD =15 V
ID =40 A
RG =4.7
VGS =5 V
(see test circuit, figure 3)
40
260
55
350
ns
Qg
Qgs
Qgd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
VDD =24 V
ID =80 A
VGS =5 V
95
30
44
130
nC
SWITCHING OFF
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
tr(Voff)
tf
tc
Of f-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
VDD =24 V
ID =80 A
RG =4.7
VGS =5 V
(see test circuit, figure 5)
70
165
250
95
220
340
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
ISD
ISDM (
)
Source-drain Current
(pulsed)
80
320
A
VSD (
)
Forward On Voltage
ISD =80 A
VGS =0
1.5
V
trr
Qrr
IRRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
ISD = 80 A
di/ dt = 100 A/
s
VDD =15 V
Tj =150
oC
(see test circuit, figure 5)
75
0. 14
4
ns
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area for
Thermal Impedance
STB80NE03L-06
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STC9960 645 mm2, COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL
STF-H240IID T-1 SINGLE COLOR LED ARRAY, RED, 3 mm
STHDMI002ABTR 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PQFP48
STI324000C1-70SP 4M X 32 MULTI DEVICE DRAM CARD, 70 ns, XMA88
STI324000C1-80SH 4M X 32 MULTI DEVICE DRAM CARD, 80 ns, XMA88
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB80NE03L-06_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.005ohm - 85A - D2PAK STripFET TM Power MOSFET
STB80NE03L-06-1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 80A 3PIN I2PAK - Rail/Tube
STB80NE03L06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AA
STB80NE03L-06T4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NE06-10 功能描述:MOSFET RO 511-STB80NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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