參數(shù)資料
型號(hào)： STB20NM60A-1
英文描述： PTC RESETTABLE 6V 1A SMD 0805
中文描述： N溝道600V的- 0.25OHM - 20A條I2PAK/TO-220/TO-220FP MDMesh功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
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代理商： STB20NM60A-1
3
2001 Semtech Corp.
www.semtech.com
PROTECTION PRODUCTS
Typical Characteristics
STF201-22 & STF201-30
ESD Clamping (8kV Contact)
Typical Insertion Loss
ESD Clamping (15kV Air)
0.030MHz
2.0GHz
0 dB
-10 dB
-20 dB
Analog Crosstalk (D+ to D-)
0.030 MHz
1 GHz
0 dB
-20 dB
-60 dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STF20NM60A Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):4A; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:4A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
STP20NM60A Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
STF20NF06 N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STF20N20 N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
STFE16-5MNAT ISOLIERSCHLAUCH PTFE 1.35MM NATUR 5M
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參數(shù)描述
STB20NM60D 功能描述:MOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB20NM60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB20NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB20PF75 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-CHANNEL 75V - 0.10 з - 20A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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