| 型號: | SSM3K101TU |
| 廠商: | Toshiba Corporation |
| 英文描述: | Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications |
| 中文描述: | 硅?頻道馬鞍山型高速開關應用 |
| 文件頁數(shù): | 1/5頁 |
| 文件大小: | 150K |
| 代理商: | SSM3K101TU |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSM3K102TU | High Speed Switching Applications |
| SSM3K104TU | Power Management Switch Applications |
| SSM3K105TU | Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications |
| SSM3K106TU | Silicon N Channel MOS Type High-Speed Switching Applications |
| SSM3K107TU | Silicon N Channel MOS Type High-Speed Switching Applications |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSM3K101TU(TE85L) | 功能描述:MOSFET Vds=20V Id=2.2A 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSM3K102TU | 功能描述:MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSM3K102TU(TE85L) | 功能描述:MOSFET Vds=20V Id=2.6A 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSM3K104TU | 功能描述:MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSM3K104TU(TE85L) | 功能描述:MOSFET Vds=20V Id=3A 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |