參數(shù)資料
型號(hào)： SSM3J13T
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山型（U型MOSII）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 182K
代理商： SSM3J13T
SSM3J13T
2002-03-27
3
100
0.1
0.01
10
1
10
1
0.1
Common Source
VDS 3 V
Ta 25°C
160
0
25
40
20
0
25
150
60
80
100
120
140
50
75
100
125
2.5 V
VGS 2 V
4 V
Common
Source
ID 1.5 A
500
0
0
100
2
4
6
8
200
300
400
Common Source
ID 1.5 A
Ta 25°C
250
0
0
150
200
100
50
2
4
6
2.5 V
Common Source
Ta 25°C
VGS 2 V
4 V
10000
0.01
0
100
1000
1
10
0.1
1.5
2
0.5
1
25°C
Common Source
VDS 3 V
Ta 25°C
75°C
0
0
4
3
0.5
1
1.5
2
2
1
4 V
Common Source
Ta 25°C
VGS 1.2 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2.5 V
2.0 V
1.8 V
D
R
D
R
Drain-Source voltage VDS (V)
I
D
– V
DS
D
I
D
– V
GS
D
Drain current ID (A)
R
DS (ON)
–I
D
D
R
Gate-Source voltage VGS (V)
Gate-Source voltage VGS (V)
Ambient temperature Ta (°C)
R
DS (ON)
– Ta
Drain current ID (A)
Y
fs
– I
D
F
R
DS (ON)
– V
GS
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PDF描述
SSM3J14T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)
SSM3J15CT Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications
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