參數(shù)資料
型號(hào)： SSM3J117TU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications
中文描述： 場效應(yīng)晶體管硅P溝道MOS型高速開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： SSM3J117TU
SSM3J117TU
2007-11-01
3
Ambient temperature Ta (°C)
V
th
– Ta
G
t
Drain–source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Gate–source voltage V
GS
(V)
ID
=
1 A
Common Source
Ambient temperature Ta (°C)
R
DS (ON)
– Ta
D
R
D
)
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
D
R
D
)
Common Source
Ta
=
25°C
Gate–source voltage V
GS
(V)
D
R
D
)
R
DS (ON)
– V
GS
0
4
0
0.2
0.4
0.6
1
3
VGS =
3.3 V
3.6 V
10 V
1
2
4 V
6 V
0.8
-5
I
D
– V
GS
Common Source
V
DS
=
5 V
D
D
-10
0
0.1
1
0.001
0.01
0.0001
4.0
0.5
1.5
25°C
Ta
=
100°C
25°C
1.0
3.5
3.0
2.5
2.0
0
2
6
8
4
0
100
200
300
400
25 °C
Ta
=
100°C
25°C
450
350
250
150
50
500
10
400
0
100
3
150
250
350
VGS =
4.0 V
0
2
4
50
200
300
450
1
10 V
5
500
Common Source
Ta
=
25°C
500
0
50
I
D
=
–0.5 A / V
GS
=
–4.0 V
0
50
150
100
200
300
400
100
–1.0 A / –10 V
Common Source
2.0
0
50
0
150
0.5
1.0
1.5
50
100
Common source
VDS
=
5 V
ID
=
1 mA
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PDF描述
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SSM3J120TU 功能描述:MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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