參數(shù)資料
型號(hào)： SSM2301N
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET
中文描述： P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 152K
代理商： SSM2301N
www.SiliconStandard.com
2
of
6
SSM2301N
Electrical Characteristics
@
T
j
=25
o
C
(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min. Typ. Max. Units
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
=0V, I
D
=-250uA
-20
-
-
V
BV
DSS
/
T
j
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Reference to 25
°C,
I
D
=-1mA
-
-0.
1 - V/°C
R
DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V
GS
=-5V, I
D
=-2.8A
-
-
130
m
V
GS
=-2.8V, I
D
=-2.0A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-5V, I
D
=-2.8A
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
=
I
D
=-2.8A
V
DS
=-6V
V
GS
=-5V
V
DS
=-6V
I
D
=-1A
R
G
=6
,
V
GS
=-5V
R
D
=6
V
GS
=0V
V
DS
=-6V
f=1.0MHz
-
-
190
m
V
S
uA
V
GS(th)
g
fs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
-0.5
-
-
-
-
4.4
Drain-Source Leakage Current (T
j
=25
o
C)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1
-10
±
100
Drain-Source Leakage Current (T
j
=55
o
C)
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Gate-Source Leakage
Total Gate Charge
2
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
2
Rise Time
Turn-off Delay Time
5.2
1.36
0.6
25
60
70
-
-
-
-
-
-
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-
-
-
-
60
295
170
65
-
-
-
-
ns
pF
pF
pF
Source-Drain Diode
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
Parameter
Test Conditions
V
D
=V
G
=0V , V
S
=-1.2V
Min. Typ. Max. Units
-
-
-
-
-
-
Continuous Source Current ( Body Diode )
Pulsed Source Current ( Body Diode )
1
Forward On Voltage
2
-1.6
-10
-1.2
A
A
T
j
=25
°C,
I
S
=-1.6A, V
GS
=0V
V
Notes:
1.Pulse width limited by Max. junction temperature.
2.Pulse width <300us , duty cycle <2%.
3.Surface mounted on FR4 board, t < 5 sec.
±
8V
Rev.2.02 3/11/2004
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSM3J01F High Speed Switching Applications
SSM3J01T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM3J02F TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM3J02T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM3J05FU Power Management Switch High Speed Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SSM2301RMZ-R2 功能描述:IC AMP AUDIO 1.52W MONO D 8MSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 線性 - 音頻放大器 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:DirectDrive® 類(lèi)型:D 類(lèi) 輸出類(lèi)型:1-通道（單聲道），帶立體聲耳機(jī) 在某負(fù)載時(shí)最大輸出功率 x 通道數(shù)量:930mW x 1 @ 8 歐姆; 40mW x 2 @ 16 歐姆 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 特點(diǎn):消除爆音，差分輸入，I²C，靜音，關(guān)閉，音量控制 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商設(shè)備封裝:25-WLP（2.09x2.09） 封裝/外殼:25-WFBGA，WLCSP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:MAX97000EWA+T-ND
SSM2301RMZ-R2 制造商:Analog Devices 功能描述:IC, AUDIO AMPLIFIER, CLASS D, 1.4W MSOP8
SSM2301RMZ-REEL 功能描述:IC AMP AUDIO 1.52W MONO D 8MSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 線性 - 音頻放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 類(lèi)型:AB 類(lèi) 輸出類(lèi)型:2 通道（立體聲） 在某負(fù)載時(shí)最大輸出功率 x 通道數(shù)量:- 電源電壓:4 V ~ 18 V 特點(diǎn):- 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 包裝:管件
SSM2301RMZ-REEL7 功能描述:IC AMP AUDIO 1.52W MONO D 8MSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 線性 - 音頻放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類(lèi)型:AB 類(lèi) 輸出類(lèi)型:耳機(jī)，2-通道（立體聲） 在某負(fù)載時(shí)最大輸出功率 x 通道數(shù)量:30mW x 2 @ 32 歐姆 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 特點(diǎn):3D，低音提升，無(wú)噪音，熱保護(hù)，關(guān)斷 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商設(shè)備封裝:20-QFN（3x3） 封裝/外殼:20-WFQFN 裸露焊盤(pán) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:706-1163-6
SSM2302 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Filterless High Efficiency Class-D Stereo Audio Amplifier
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