參數(shù)資料
型號： SPW35N60C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CoolMOS Power Transistor
中文描述： 的CoolMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 230K
代理商： SPW35N60C3
SPW35N60C3
CoolMOS
TM
Power Transistor
Features
New revolutionary high voltage technology
Ultra low gate charge
Periodic avalanche rated
Extreme d
v
/d
t
rated
Ultra low effective capacitances
Improved transconductance
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
A
T
C
=100 °C
Pulsed drain current
1)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=17.3 A,
V
DD
=50 V
1500
mJ
Avalanche energy, repetitive
t
AR
1),2)
E
AR
I
D
=34.6 A,
V
DD
=50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
1)
I
AR
A
Drain source voltage slope
d
v
/d
t
I
D
=34.6 A,
V
DS
=480 V,
T
j
=125 °C
V/ns
Gate source voltage
V
GS
static
V
V
GS
AC (
f
>1 Hz)
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
°C
±20
±30
313
-55 ... 150
1.5
34.6
50
Value
34.6
21.9
103.8
V
DS
@
T
j,max
650
V
R
DS(on),max
0.1
I
D
34.6
A
Product Summary
Type
Package
Ordering Code
Marking
SPW35N60C3
P-TO247
Q67040-S4673
35N60C3
P-TO247
Rev. 1.0
page 1
2004-05-10
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PDF描述
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