參數(shù)資料
型號(hào)： SPW21N50C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS™ Power Transistor
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 245K
代理商： SPW21N50C3
2003-06-30
Page 7
SPW21N50C3
Final data
9 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 21 A pulsed
0
20
40
60
80
100
nC
140
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPW21N50C3
V
G
0.2
V
DS max
0.8
V
DS max
10 Forward characteristics of body diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 10 μs
2
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
A
SPW21N50C3
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
11 Avalanche SOA
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
≤
150 °C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
μs
t
AR
0
5
10
A
20
I
A
Tj(Start)=25°C
Tj(Start)=125°C
12 Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 10 A,
V
DD
= 50 V
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
mJ
750
E
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPW24N60C3 CoolMOS Power Transistor
SPW32N50C3 Cool MOS⑩ Power Transistor
SPW35N60C3 CoolMOS Power Transistor
SPW47N60C2 Cool MOS⑩ Power Transistor
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