參數(shù)資料
型號： SPW21N50C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS™ Power Transistor
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大小： 245K
代理商： SPW21N50C3
2003-06-30
Page 1
SPW21N50C3
Final data
Cool MOS
Power Transistor
Feature
New revolutionary high voltage technology
Ultra low gate charge
Periodic avalanche rated
Extreme d
v
/d
t
rated
Ultra low effective capacitances
Improved transconductance
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
560
0.19
V
A
21
P-TO247
Type
SPW21N50C3
Package
P-TO247
Ordering Code
Q67040-S4586
Marking
21N50C3
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
A
Continuous drain current
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 10 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
I
D
= 21 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
I
AR
Reverse diode d
v
/d
t
I
D
21
13.1
I
D puls
E
AS
63
690
mJ
E
AR
1
21
A
I
S=21A,
V
DS=480V,
T
j=125°C
Gate source voltage
d
v
/d
t
6
V/ns
V
GS
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
±20
±
30
208
V
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C = 25°C
Operating and storage temperature
W
-55... +150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPW24N60C3 CoolMOS Power Transistor
SPW32N50C3 Cool MOS⑩ Power Transistor
SPW35N60C3 CoolMOS Power Transistor
SPW47N60C2 Cool MOS⑩ Power Transistor
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SPW24N60C3 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 650V 24.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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