參數(shù)資料
型號： SPW12N50C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS™ Power Transistor
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： SPW12N50C3
2003-06-30
Page 7
SPW12N50C3
Final data
9 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 7 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2.1
SPW12N50C3
R
D
typ
98%
10 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 10 μs
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
V
GS
10
0
4
8
12
16
20
24
28
32
A
40
I
D
25°C
150°C
11 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 11.6 A pulsed
0
10
20
30
40
50
nC
70
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPW12N50C3
V
G
0.2
V
DS max
0.8
V
DS max
12 Forward characteristics of body diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 10 μs
2
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
A
SPW12N50C3
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
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PDF描述
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