參數(shù)資料
型號： SPW11N60C2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS⑩ Power Transistor
中文描述： 酷馬鞍山⑩功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： SPW11N60C2
2002-10-07
Page 6
SPW11N60C2
Final data
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
parameter:
t
p
= 10 μs,
V
GS
0
5
10
15
V
25
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
A
18
I
D
6V
7V
8V
9V
20V
12V
10V
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
T
j
=150°C,
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
A
I
D
18
0
0.5
1
2
R
D
20V
12V
10V
9V
8V
7V
6V
7 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 7 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2.1
SPW11N60C2
R
D
typ
98%
8 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 10 μs
0
4
8
12
V
20
V
GS
0
4
8
12
16
20
24
A
32
I
D
25 °C
150 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPW11N60C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPW11N60CFD Cool MOS⑩ Power Transistor
SPW11N60S5 Cool MOS⑩ Power Transistor
spw11n60 Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS型功率晶體管)
SPW11N80C3 Cool MOS™ Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPW11N60C3 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPW11N60C3_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS POWER TRANSISTOR
SPW11N60C3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 11A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
SPW11N60C3XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN TO-247 - Rail/Tube
SPW11N60CFD 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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