參數(shù)資料
型號(hào)： spw11n60
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS型功率晶體管)
中文描述： 酷MOS功率晶體管（酷馬鞍山型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： SPW11N60
3
2000-01-27
SPW11N60S5
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
3
2*I
D
*R
DS(on)max
,
I
D
=7A
-
6
-
S
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
1460
610
21
130
35
150
20
-
-
-
-
-
pF
V
DD
=350V, V
GS
=10V,
I
D
=11A, R
G
=6.8
W
ns
225
30
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Total gate charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=350V, I
D
=11A
-
-
-
10.5
24
41.5
-
-
nC
V
DD
=350V, I
D
=11A,
V
GS
=0 to 10V
54
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
11
A
Inverse diode direct
current,pulsed
I
SM
-
-
22
Inverse diode forward voltage
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=11A
-
1
1.2
V
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
R
=350V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
=100A/μs
-
-
650
7.9
1105
-
ns
μC
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PDF描述
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