參數(shù)資料
型號(hào): SPU30N03L
廠商: SIEMENS A G
元件分類: JFETs
英文描述: SIPMOS Power Transistor
中文描述: 30 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大?。?/td> 96K
代理商: SPU30N03L
4
Semiconductor Group
SPD30N03L
Electrical Characteristics
, at T
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Gate to source charge
V
DD
= 24 V,
I
D
= 30 A
Gate to drain charge
V
DD
= 24 V,
I
D
= 30 A
Gate charge total
V
DD
= 24 V,
I
D
= 30 A,
V
GS
= 0 to 10 V
Gate plateau voltage
V
DD
= 24 V,
I
D
= 30 A
6
nC
4
Q
gs
-
-
21
Q
gd
31.5
-
54
80
Q
g
V
(plateau)
3.31
-
V
-
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
T
C
= 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
T
C
= 25 °C
Inverse diode forward voltage
V
GS
= 0 V,
I
F
= 60 A
Reverse recovery time
V
R
= 15 V,
I
F
=
I
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
Reverse recovery charge
V
R
= 15 V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
I
S
-
-
30
A
I
SM
-
-
120
V
SD
-
0.97
V
1.7
t
rr
-
45
ns
68
Q
rr
-
μC
0.045
0.068
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PDF描述
SPD30N03L SIPMOS Power Transistor
SPU30N03S2-08 OptiMOS Power-Transistor
SPU30N03S2L-10 OptiMOS Power-Transistor
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SPD30P06P SIPMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
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SPU30N03S208XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-251
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SPU30P06P 功能描述:MOSFET P-CH 60V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPU31N05 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor