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參數(shù)資料
| 型號： | SPU28N05L |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor |
| 中文描述： | 28 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | SPU28N05L |
Semiconductor Group
7
30/Jan/1998
SPD28N05L
SPU28N05L
Drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 20 A,
V
GS
= 4.5 V
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
180
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.16
R
DS (on)
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f (T
j
)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 50μA
-60
-20
20
60
100
140
V
200
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
V
3.0
V
GS(th)
min
typ
max
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
= 0V,
f
= 1MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
V
DS
40
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
(
V
SD
)
parameter:
T
j
, t
p
= 80 μs
0
0.0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
F
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD28N05L | SIPMOS Power Transistor |
| SPU30N03L | SIPMOS Power Transistor |
| SPD30N03L | SIPMOS Power Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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