參數(shù)資料
型號(hào)： SPU28N03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： SPU28N03
SPD 28N03
Data Sheet
7
06.99
Drain-source on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 28 A,
V
GS
= 10 V
SPD28N03
-60
-20
20
60
100
140
C
T
j
200
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0.035
0.040
0.045
0.050
0.060
R
D
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j
)
parameter :
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 50 μA
-60
-20
20
60
100
140
C
200
T
j
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
4.4
V
5.0
V
G
min
typ
max
Typ. capacitances
C =
f
(V
DS
)
parameter:
V
GS
= 0 V,
f
= 1 MHz
0
5
10
15
20
25
V
35
V
DS
0
500
1000
pF
2000
C
Ciss
Coss
Crss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
f
(
V
SD
)
parameter:
T
j
,
t
p
= 80 μs
SPD28N03
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
F
T
j
= 25 C typ
T
j
= 175 C typ
T
j
= 25 C (98%)
T
j
= 175 C (98%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD28N03 Insulation Displacement (IDC) Connector; No. of Contacts:50; Contact Termination:IDC; Gender:Female; Contact Plating:Nickel; Pitch Spacing:0.05" RoHS Compliant: Yes
SPU28N05L SIPMOS Power Transistor
SPD28N05L SIPMOS Power Transistor
SPU30N03L SIPMOS Power Transistor
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參數(shù)描述
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