參數(shù)資料
型號(hào)： SPU23N05
廠商： SIEMENS A G
元件分類： JFETs
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 23 A, 55 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商： SPU23N05
Semiconductor Group
8
29/Jan/1998
SPD23N05
SPU23N05
Typ. gate charge
V
GS
=
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D puls
= 22 A
0
4
8
12
16
nC
Q
Gate
24
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=22A,
V
DD
=25 V
R
GS
=25
, L = 372μH
20
40
60
80
100
120
140
°C
T
j
180
0
10
20
30
40
50
60
70
80
mJ
100
E
AS
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
180
49
51
53
55
57
59
61
V
65
V
(BR)DSS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD23N05 SIPMOS Power Transistor
SPU28N03 SIPMOS Power Transistor
SPD28N03 Insulation Displacement (IDC) Connector; No. of Contacts:50; Contact Termination:IDC; Gender:Female; Contact Plating:Nickel; Pitch Spacing:0.05" RoHS Compliant: Yes
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SPD28N05L SIPMOS Power Transistor
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