參數(shù)資料
型號： SPU23N05
廠商： SIEMENS A G
元件分類： JFETs
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 23 A, 55 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： SPU23N05
Semiconductor Group
5
29/Jan/1998
SPD23N05
SPU23N05
Power dissipation
P
tot
=
(
T
C
)
0
20
40
60
80
100
120
140
°C
180
T
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
W
60
P
tot
Drain current
I
D
=
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
0
20
40
60
80
100
120
140
°C
180
T
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
A
24
I
D
Safe operating area
I
D
=
(
V
DS
)
parameter:
D
= 0.01
, T
C
= 25°C
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
D
10
1
10
2
V
V
DS
R
DSo)
=
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 26.0μs
Transient thermal impedance
Z
th JC
=
(
t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
-4
10
-7
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
thJC
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
10
0
s
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
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PDF描述
SPD23N05 SIPMOS Power Transistor
SPU28N03 SIPMOS Power Transistor
SPD28N03 Insulation Displacement (IDC) Connector; No. of Contacts:50; Contact Termination:IDC; Gender:Female; Contact Plating:Nickel; Pitch Spacing:0.05" RoHS Compliant: Yes
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