參數(shù)資料
型號(hào): SPP100N03S2-03
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 417K
代理商: SPP100N03S2-03
2003-05-09
Page 4
SPI100N03S2L-03
SPP100N03S2L-03,SPB100N03S2L-03
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
4 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
40
80
120
160
200
240
W
320
SPP100N03S2L-03
P
t
2 Drain current
I
D
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
10 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
A
110
SPP100N03S2L-03
I
D
4 Max. transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SPP100N03S2L-03
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
3 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
1
10
2
10
3
10
A
SPP100N03S2L-03
I
D
R
D(n
V
D
I
D
1 ms
100 μs
t
p = 20.0μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB100N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor
SPI11N60S5 Cool MOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPI35N10 Multi-Color LED; LED Color:Yellow/Green; Luminous Intensity:16mcd; Viewing Angle:120 ; Forward Current:30mA; Forward Voltage:2.1V; Operating Temperature Range:-55 C to ? C; Color:Yellow/Green; Input Current:20mA RoHS Compliant: No
SPP35N10 SIPMOS Power-Transistor
SPB35N10 Multi-Color LED; LED Color:Yellow/Green; Luminous Intensity:20mcd; Viewing Angle:104 ; Forward Current:25mA; Forward Voltage:2.2V; Operating Temperature Range:-25 C to +80 C; Color:Yellow/Green; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
SPP100N03S2L03 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP100N03S2L-03 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP100N03S2L03XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP100N04S2-04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP100N04S204NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB