參數(shù)資料
型號： SPI11N60S5
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Cool MOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 酷MOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 94K
代理商： SPI11N60S5
7
2000-01-27
SPI11N60S5
Forward characteristics of reverse diode
I
F
= f(V
SD
)
parameter: T , t
p
= 80 μs
2
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
V
SD
3.0
-1
10
0
10
1
10
A
SPI11N60S5
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
Typ. gate charge
V
GS
= f (Q
Gate
)
parameter: I
D
= 11 A pulsed
SPI11N60S5
0
10
20
30
40
50
nC
65
Q
g
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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