參數(shù)資料
型號(hào)： SPI07N60S5
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Cool MOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 酷MOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： SPI07N60S5
3
2000-01-31
SPI07N60S5
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
3
2*I
D
*R
DS(on)max
,
I
D
=4.6A
-
4
-
S
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
970
370
10
120
40
170
20
-
-
-
-
-
pF
V
DD
=350V, V
GS
=10V,
I
D
=7.3A, R
G
=12
W
ns
255
30
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Total gate charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=350V, I
D
=7.3A
-
-
-
7.5
16.5
27
-
-
nC
V
DD
=350V, I
D
=7.3A,
V
GS
=0 to 10V
35
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
7.3
A
Inverse diode direct
current,pulsed
I
SM
-
-
14.6
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=7.3A
-
-
-
1
1.2
1275
-
V
ns
μC
V
R
=350V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
=100A/μs
750
4.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI100N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
SPP100N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
SPB100N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
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SPI07N60S5XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS
SPI07N65C3 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 730V 7.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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