參數(shù)資料
型號： SPI07N60S5
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Cool MOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 酷MOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： SPI07N60S5
1
2000-01-31
SPI07N60S5
Cool MOS
Power-Transistor
·
New revolutionary high voltage technology
·
Ultra low gate charge
·
Periodic avalanche rated
·
Extreme dvdt rated
·
Optimized capacitances
·
Improved noise immunity
·
Former development designation:
SPPx3N60S5
G,1
D,2
S,3
C
O L
MOS
Type
SPI07N60S5
V
DS
600 V 7.3 A
I
D
R
DS(on)
0.6
W
Package
P-TO262
Marking
07N60S5
Ordering Code
Q67040-S4249
Maximum Ratings
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current,
t
p
= 1ms
1)
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 7.3 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche energy (repetitive, limited by
T
jmax
)
I
D
= 9.1 A ,
V
DD
= 50 V
Avalanche current (repetitive, limited by
T
jmax
)
Reverse diode dvdt
I
S
= 7.3 A,
V
DS
<
V
DSS
,
didt
= 100 A/μs,
T
jmax
= 150 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
Symbol
I
D
Value
7.3
4.6
Unit
A
I
D puls
14.6
E
AS
230
mJ
E
AR
0.8
I
AR
dvdt
9.1
6
A
kV/μs
V
GS
P
tot
±
20
83
V
W
T
j ,
T
stg
-55... +150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI100N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
SPP100N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
SPB100N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor
SPI100N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor
SPP100N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
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SPI07N60S5IN 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
SPI07N60S5XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS
SPI07N65C3 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 730V 7.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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