參數(shù)資料
型號(hào)： SPD50N06S2L-13
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 264K
代理商： SPD50N06S2L-13
2003-05-09
Page 3
SPD50N06S2L-13
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=50A
17
33
-
S
Input capacitance
Output capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
1725
404
2300 pF
540
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
-
-
120
8.9
180
13
V
DD
=30V,
V
GS
=10V,
I
D
=50A,
R
G
=3.6
ns
Rise time
-
14
21
Turn-off delay time
Fall time
-
-
39
13.4
58
21
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=44V,
I
D
=50A
-
-
6
17
8
26
nC
Gate charge total
V
DD
=44V,
I
D
=50A,
V
GS
=0 to 10V
-
52
69
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=44V,
I
D
=50A
-
3.7
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
50
A
Inv. diode direct current, pulsed
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
-
-
200
V
GS
=0V,
I
F
=50A
-
0.9
1.3
V
V
R
=30V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
-
-
52
99
65
125
ns
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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